ME学术大讲堂第一百一十三讲:Ti阴极弧脉冲放电与Ti(Si, C)N薄膜结构及性能研究
来源:亚博申请取款拒绝 发布日期:2018-12-14 浏览次数:261
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一、报告人:马英鹤博士(哈尔滨工业大学)

二、摘要:

       等离子体密度是影响薄膜质量的关键因素之一。传统阴极弧可通过提高电弧电流来增加等离子体密度,但极易受到水冷、磁场等限制,而且提高弧流还会产生更多大颗粒,对薄膜质量产生较大影响。脉冲阴极弧突破了上述限制,有效提高了等离子体密度,但脉冲阴极弧在放电等离子体特性规律和薄膜结构及性能方面缺乏系统研究。本文利用自行研制的脉冲阴极弧系统(pulse-enhanced vacuum arc evaporation-PEVAE),深入研究了其放电等离子体特性与其所制备的Ti(Si,C)N薄膜结构和性能。

三、时间与地点:

       报告题目《Ti阴极弧脉冲放电与Ti(Si, C)N薄膜结构及性能研究》

      报告时间:2018-12-14(周五) 上午10:30  广C504

四、报告人简历:

       马英鹤,哈尔滨工业大学博士,2011年9月就读于哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验室,研究方向为等离子体基金属材料表面改性,读博期间参与国家自然科学基金等项目多项,发表多篇SCI文章。